次の文章は、電界効果トランジスタに関する記述である。
図に示すMOS電界効果トランジスタ（MOSFET）は、p形基板表面にn形のソースとドレーン領域が形成されている。また、ゲート電極は、ソースとドレーン間のp形基板表面上に薄い酸化膜の絶縁層（ゲート酸化膜）を介して作られている。ソースSとp形基板の電位を接地電位とし、ゲートGにしきい値電圧以上の正の電圧VGSを加えることで、絶縁層を隔てたp形基板表面近くでは、（ア）が除去され、チャネルと呼ばれる（イ）の薄い層ができる。これによりソースSとドレーンDが接続される。このVGSを上昇させるとドレーン電流IDは（ウ）する。また、このFETは（エ）チャネルMOSFETと呼ばれている。
上記の記述中の空白箇所（ア）、（イ）、（ウ）、（エ）に当てはまる組合せとして、正しいものを次の（１）～（５）のうちから一つ選べ。
| ア | イ | ウ | エ | |
| （１） | 正孔 | 電子 | 増加 | n |
| （２） | 電子 | 正孔 | 減少 | p |
| （３） | 正孔 | 電子 | 減少 | n |
| （４） | 電子 | 正孔 | 増加 | n |
| （５） | 正孔 | 電子 | 増加 | p |