正解：（１）
解説：VGSが印加されていないとき、p形基板とn形半導体の間では空乏層ができており、ソースSとドレーンDの間は電気的に接続されていないために、VDSを印加しても電流IDは流れない。ここで、VGSを印加すると、ゲートGの酸化被膜直下には、少数キャリアである自由電子が集まり、多数キャリアの正孔は除去される（これを反転層という）。自由電子が集まることで、ソースSとドレーンDの間に電気の通り道ができる（これをチャネルという）。この状態でVDSを印加すると、電流IDが流れる。自由電子(n)によりチャネルが形成される今回のようなMOSFETをnチャネルMOSFETと呼び、反対に正孔によりチャネルが形成されるMOSFETをpチャネルMOSFETと呼ぶ。VGSが大きくなると、通り道であるチャネルも広くなるため、電流IDも大きくなる。