IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は（ア）と（イ）を複合化した構造をしており、（ウ）の電圧により（エ）電流のON/OFF制御をすることができる。スイッチング速度が速く、高い電圧にも耐えられ、スイッチON時の抵抗も小さいため、インバーターにも採用される。
上記の記述中の空白箇所（ア）、（イ）、（ウ）、（エ）に当てはまる組合せとして、最も適切なものを次の（１）～（５）のうちから一つ選べ。
| ア | イ | ウ | エ | |
| （１） | ダイオード | サイリスタ | ゲート | コレクタ |
| （２） | ダイオード | サイリスタ | コレクタ | ゲート |
| （３） | MOSFET | バイポーラトランジスタ | エミッタ | ゲート |
| （４） | MOSFET | バイポーラトランジスタ | コレクタ | ゲート |
| （５） | MOSFET | バイポーラトランジスタ | ゲート | コレクタ |