解説：IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）はMOSFETとバイポーラトランジスタを複合化した構造をしており、ゲートの電圧によりコレクタ電流のON/OFF制御をすることができる。スイッチング速度が速く、高い電圧にも耐えられ、スイッチON時の抵抗も小さいため、インバーターにも採用される。スイッチング速度や周波数使用範囲はMOSFETの方が優れているが、10kHz以下において、IGBTは1MV・A程度の制御容量を持ち、これはMOSFETの10kV・A程度に比べて、100倍近い制御容量を持つ。
IGBTの特性①解答